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背景介绍：
排列的多壁碳纳米管最常用气相沉积法生长。这种方法具有严重的缺陷，因为纳米管只能由于发生生长的高温而在某些材料上生长。目前的技术不允许在任何类型的基板上生长图案化的多层碳纳米管。虽然已经提出了其他方法，但是这些技术仅改善机械接触，不降低触点的电阻和热阻。电阻和热阻是基于垂直几何形状的应用的关键参数，例如冷场发射器，用于化学和生物传感器的纳米电极阵列和垂直纳米晶体管。目前迫切需要一种用于传送具有某种图案的定向碳纳米管阵列的方法和装置，同时允许改善的热和电特性。
新技术特点：
本发明在高电场下、高真空中条件下，传送排列的多壁碳纳米管的阵列和图案化阵列(从一个表面到另一个表面)。在高真空中的物质传送发生在宏观距离上，并且表面上的后续沉积仍然保持图案和沉积，同时仍然保持图案和取向，无需使用掩模和预先图案化的基板。这允许制造更加尖锐和精确的图案或在阳极上产生新的图案，从而获得清晰的图案。
独特优势：
•改进的性能-允许更好的机械接触，并且还降低触点的电阻和热阻。
•较低的温度-可以在比气相沉积法更低的温度下进行。
•可以产生精准精确图案-保留碳纳米管的图案和方向，无需使用掩模和预先图案化的基板。
广泛的用途：
•冷场发射器
•化学传感器
•生物传感器
•垂直纳米晶体管
材料科学,生物医用 500万以上
化学化工
材料科学 面议
材料科学 面议
材料科学,化学化工 面议
