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来源：新材料在线|
发表时间：2017-01-19
点击：12830
2017年1月16-17日，在美国亚利桑那州凤凰城的Radio＆Wireless Week（RWW2017）的＃1和＃2展位上，三菱电机公司正在展示一款实用的迷你实验室，展示其高效率宽带Doherty放大器。此外，在1月16日上午10时50分，该公司提交了一篇描述宽带Doherty的技术论文（Session MO2D-3: '3.0-3.6GHz Wideband, over 46% Average Efficiency GaN Doherty Power Amplifier with Frequency Dependency Compensating Circuits'），报导了功率放大器设计技术，用于使用在三菱电机最新的氮化镓（GaN）晶体管技术的下一代LTE基站。
声明：本文由入驻新材料在线作者鹿野道人撰写，观点仅代表作者本人，不代表新材料在线立场。本站只提供参考并不构成任何投资及应用建议。本站拥有对此声明的最终解释权。
