客户端

有材APP下载

新材料在线APP下载

寻材问料下载

开通会员

精彩推荐

会员享研报折扣价、看项目BP、约投资人、每日在通讯录加更多好友等特权

开通会员 查看会员特权

登录/注册

热门媒体号

热门企业号

Nano Lett.:用于近场纳米成像的双栅极石墨烯器件

来源:石墨烯联盟|

发表时间:2021-03-04

点击:5416

文章来源:低维 昂维


作者Ripper123


基于石墨烯的异质结显示出多种现象,可以通过静电局部栅极强烈调节。单层石墨烯(MLG)表现出可调谐的表面等离子极化激元,并可以通过扫描纳米红外实验证明。在双层石墨烯(BLG)中,垂直位移场会引起电子带隙。预计有带隙的BLG会表现出反常效应,例如等离激元扩增和畴壁等离激元,其寿命比MLG长得多。此外,在扭转的石墨烯结构中已经观察到对位移场高度敏感的各种相关电子相。但是,在纳米红外实验中应用垂直位移场直到最近才成为可能。


"


有鉴于此,近日,美国哥伦比亚大学D. N. Basov等充分表征了实现纳米光学兼容顶栅的两种方法:双层MoS2和MLG。对两种类型的结构都进行了纳米红外成像,并评估它们的优缺点。本文的研究工作为基于石墨烯的异质结中相关现象和等离激元效应的全面近场实验铺平了道路。



"

图1. MoS2栅控的单层石墨烯的纳米光学测量。


"

图2. 具有MoS2顶栅的单层石墨烯中的载流子密度调制。


"

图3. 双层石墨烯畴壁中顶栅效应的证明。


"

图4. 单层石墨烯作为双层石墨烯中畴壁的顶栅。


"

图5. MLG和TMD顶栅之间的直接比较。


本文封面图来源于图虫创意

“本文由新材料在线®平台入驻媒体号石墨烯联盟提供,观点仅代表作者本人,不代表本网站及新材料在线®立场,本站不对文章内容真实性、准确性等负责,尤其不对文中产品有关功能性、效果等提供担保。本站提醒读者,文章仅供学习参考,不构成任何投资及应用建议。如需转载,请联系原作者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请与我们联系,我们将在第一时间处理!本站拥有对此声明的最终解释权。”

点击咨询

客服

下载APP

公众号

让客服与您联系

留下您的联系方式,让客服为您提供专属服务

关闭