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杨德仁

浙江大学

中科院院士

专业能力信息

职称院士

研究领域 半导体硅材料，研究方向包括：超大规模集成电路用硅材料的生长、加工和缺陷工程；太阳能光伏用硅材料及电池；硅基光电子发光材料及器件；微纳米硅材料及纳米半导体材料

专利论文

工作经历

1993年，杨德仁从博士后流动站出站后晋升为副教授。 1995年初，杨德仁赴德国弗莱贝格工业大学工作。 1997年5月，杨德仁被浙江大学特批晋升教授。 1998年初，杨德仁从德国回国后，在硅材料国家重点实验室工作，担任副主任、博士生导师。同年入选浙江省跨世纪科学和技术带头人("151"人才)第一层次。

教育经历

1975年，杨德仁杨考入江苏省扬州市第一中学，先后就读于初中部和高中部。 1981年，杨德仁高中毕业后考入浙江大学，就读于金属材料热处理专业，先后获得学士学位(1985年)、硕士学位和博士学位(1991年)。 1991年，杨德仁从浙江大学硅材料国家重点实验室获半导体材料工学博士毕业后，进入浙江大学材料科学与工程博士后流动站工作，其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。

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